1W AXIAL GLASS ZENER-Zener diode products-ANMEI semiconductor

Product screening:

Package

VZ@IZT(V)

IΖT(mA)

ZZT@IZT(Ω)

ZZK@IZT(Ω)

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZK(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

RθJA(℃/W)

Tj（℃）

PD(W)

Condition：

Clear Condition

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4728A

Do-41

3.3

76.0

10.0

400

100

276

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4729A

Do-41

3.6

69.0

10.0

400

100

252

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4730A

Do-41

3.9

64.0

9.0

400

234

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4731A

Do-41

4.3

58.0

9.0

400

217

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4732A

Do-41

4.7

53.0

8.0

400

193

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4733A

Do-41

5.1

49.0

7.0

500

178

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4734A

Do-41

5.6

45.0

5.0

550

162

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4735A

Do-41

6.2

41.0

2.0

700

146

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4736A

Do-41

6.8

37.0

3.5

700

133

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4737A

Do-41

7.5

34.0

4.0

700

0.5

121

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4738A

Do-41

8.2

31.0

4.5

700

0.5

110

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4739A

Do-41

9.1

28.0

5.0

700

0.5

100

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4740A

Do-41

10.0

25.0

7.0

700

0.25

7.6

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4741A

Do-41

11.0

23.0

8.0

700

0.25

8.4

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4742A

Do-41

12.0

21.0

9.0

700

0.25

9.1

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4743A

Do-41

13.0

19.0

10.0

700

0.25

9.9

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4744A

Do-41

15.0

17.0

14.0

700

0.25

11.4

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4745A

Do-41

16.0

15.5

16.0

700

0.25

12.2

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4746A

Do-41

18.0

14.0

20.0

750

0.25

13.7

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4747A

Do-41

20.0

12.5

22.0

750

0.25

15.2

1.2

110

-65～ 175

< 1 2 3 4 > proceed page

Friendship Link

Anhui Anxin Electronic Technology Co., Ltd.

http://www.anhuianxin.com/

Anhui ANMEI semiconductor

Telephone:+86-0566-2218818
Mobile:+8618905668938 Mr. Zhou
Website:http://www.amsemi.com.cn/
Mailbox:info@amsemi.com.cn
Address: Chizhou City economic and technological Development Zone Golden Avenue Fuan electronic information Industry Park

Shenzhen Anxinmei Semiconductor

Contact: Zhang Jing
Telephone:+86181 2405 5151
Shenzhen Address: Shenzhen Longgang District Pinghu Street Shanxia Community Huabao Road 100 Hongdian Building A 901

Shanghai Anxinmei Semiconductor Co,.Ltd.

Contact: Mr.Jin
Telephone:+8613701800287 Shanghai Pudong New Area 787 Kangqiao Road Zhongtian Science Park Building 7, 212-216

Instructions | Report | Certificate | Digital business card

Business License