1W AXIAL GLASS ZENER-Zener diode products-ANMEI semiconductor

Product screening:

Package

VZ@IZT(V)

IΖT(mA)

ZZT@IZT(Ω)

ZZK@IZT(Ω)

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZK(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

RθJA(℃/W)

Tj（℃）

PD(W)

Condition：

Clear Condition

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5923B

Do-41

8.2

45.7

3.5

400

0.5

2.5

6.5

182

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5924B

Do-41

9.1

41.2

4.0

500

0.5

2.5

164

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5925B

Do-41

10.0

37.5

4.5

500

0.25

2.5

150

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5926B

Do-41

11.0

34.1

5.5

550

0.25

0.5

8.4

136

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5927B

Do-41

12.0

31.2

6.5

550

0.25

0.5

9.1

125

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5928B

Do-41

13.0

28.8

7.0

550

0.25

0.5

9.9

115

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5929B

Do-41

15.0

25.0

9.0

600

0.25

0.5

11.4

100

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5930B

Do-41

16.0

23.4

10.0

600

0.25

0.5

12.2

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5931B

Do-41

18.0

20.8

12.0

650

0.25

0.5

13.7

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5932B

Do-41

20.0

18.7

14.0

650

0.25

0.5

15.2

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5933B

Do-41

22.0

17.0

17.5

650

0.25

0.5

16.7

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5934B

Do-41

24.0

15.6

19.0

700

0.25

0.5

18.2

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5935B

Do-41

27.0

13.9

23.0

700

0.25

0.5

20.6

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5936B

Do-41

30.0

12.5

26.0

750

0.25

0.5

22.8

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5937B

Do-41

33.0

11.4

33.0

800

0.25

0.5

25.1

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5938B

Do-41

36.0

10.4

38.0

850

0.25

0.5

27.4

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5939B

Do-41

39.0

9.6

45.0

900

0.25

0.5

29.7

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5940B

Do-41

43.0

8.7

53.0

950

0.25

0.5

32.7

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5941B

Do-41

47.0

8.0

67.0

1000

0.25

0.5

35.8

1.5

-55～ 175

1.5

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N5942B

Do-41

51.0

7.3

70.0

1100

0.25

0.5

38.8

1.5

-55～ 175

1.5

< 1 2 3 4 > proceed page

Friendship Link

Anhui Anxin Electronic Technology Co., Ltd.

http://www.anhuianxin.com/

Anhui ANMEI semiconductor

Telephone:+86-0566-2218818
Mobile:+8618905668938 Mr. Zhou
Website:http://www.amsemi.com.cn/
Mailbox:info@amsemi.com.cn
Address: Chizhou City economic and technological Development Zone Golden Avenue Fuan electronic information Industry Park

Shenzhen Anxinmei Semiconductor

Contact: Zhang Jing
Telephone:+86181 2405 5151
Shenzhen Address: Shenzhen Longgang District Pinghu Street Shanxia Community Huabao Road 100 Hongdian Building A 901

Shanghai Anxinmei Semiconductor Co,.Ltd.

Contact: Mr.Jin
Telephone:+8613701800287 Shanghai Pudong New Area 787 Kangqiao Road Zhongtian Science Park Building 7, 212-216

Instructions | Report | Certificate | Digital business card

Business License