Product screening:
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A1
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A2
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A3
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A4
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A5
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A6
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
A7
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1AF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1BF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1DF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1GF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1JF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1KF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S1MF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S2AAF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S2BAF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S2DAF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S2GAF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S2JAF
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Izm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
S2KAF
Anhui ANMEI semiconductor
Telephone:+86-0566-2218818
Mobile:+8618905668938 Mr. Zhou
Website:http://www.amsemi.com.cn/
Mailbox:info@amsemi.com.cn
Address: Chizhou City economic and technological Development Zone Golden Avenue Fuan electronic information Industry Park
Shenzhen Anxinmei Semiconductor
Contact: Zhang Jing
Telephone:+86181 2405 5151
Shenzhen Address: Shenzhen Longgang District Pinghu Street Shanxia Community Huabao Road 100 Hongdian Building A 901
Shanghai Anxinmei Semiconductor Co,.Ltd.
Contact: Mr.Jin
Telephone:+8613701800287 Shanghai Pudong New Area 787 Kangqiao Road Zhongtian Science Park Building 7, 212-216
Copyright© 2023 Anhui Anmei Semiconductor Co., Ltd