Product screening:
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z5.6A
SMA
5.32
5.6
5.88
89.5
2.5
500
1
10
2
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z6.2A
SMA
5.89
6.2
6.51
80.5
1.5
700
1
10
3
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z6.8A
SMA
6.46
6.8
7.14
73.5
2
700
1
10
4
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z7.5A
SMA
7.125
7.5
7.875
66.5
2
700
0.5
10
5
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z8.2A
SMA
7.79
8.2
8.61
61
2.3
700
0.5
10
6
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z9.1A
SMA
8.645
9.1
9.555
55
2.5
700
0.5
10
7
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z10A
SMA
9.5
10
10.5
50
3.5
700
0.25
10
7.6
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z11A
SMA
10.45
11
11.55
45.5
4
700
0.25
1
8.4
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z12A
SMA
11.4
12
12.6
41.5
4.5
700
0.25
1
9.1
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z13A
SMA
12.35
13
13.65
38.5
5
700
0.25
0.5
9.9
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z14A
SMA
13.3
14
14.7
35.7
5.5
700
0.25
0.5
10.6
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z15A
SMA
14.25
15
15.75
33.4
7
700
0.25
0.5
11.4
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z16A
SMA
15.2
16
16.8
31.2
8
700
0.25
0.5
12.2
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z17A
SMA
16.15
17
17.85
29.4
9
750
0.25
0.5
13
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z18A
SMA
17.1
18
18.9
27.8
10
750
0.25
0.5
13.7
100
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z19A
SMA
18.05
19
19.95
26.3
11
750
0.25
0.5
14.4
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z20A
SMA
19
20
21
25
11
750
0.25
0.5
15.2
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z22A
SMA
20.9
22
23.1
22.8
12
750
0.25
0.5
16.7
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z24A
SMA
22.8
24
25.2
20.8
13
750
0.25
0.5
18.2
76
1.5
170
-55～ 150
2.0
Package
VZmin@IZT(V)
VZtyp@IZT(V)
VZmax@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω)
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
Maximum DC
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
SMA2Z27A
SMA
25.65
27
28.35
18.5
18
750
0.25
0.5
20.6
1.5
170
-55～ 150
2.0
Anhui ANMEI semiconductor
Telephone:+86-0566-2218818
Mobile:+8618905668938 Mr. Zhou
Website:http://www.amsemi.com.cn/
Mailbox:info@amsemi.com.cn
Address: Chizhou City economic and technological Development Zone Golden Avenue Fuan electronic information Industry Park
Shenzhen Anxinmei Semiconductor
Contact: Zhang Jing
Telephone:+86181 2405 5151
Shenzhen Address: Shenzhen Longgang District Pinghu Street Shanxia Community Huabao Road 100 Hongdian Building A 901
Shanghai Anxinmei Semiconductor Co,.Ltd.
Contact: Mr.Jin
Telephone:+8613701800287 Shanghai Pudong New Area 787 Kangqiao Road Zhongtian Science Park Building 7, 212-216
Copyright© 2023 Anhui Anmei Semiconductor Co., Ltd