Zener Diode 1W AXIAL GLASS ZENER-ANMEI semiconductor

Product screening:

Package

VZ@IZT(V)

IΖT(mA)

ZZT@IZT(Ω)

ZZK@IZT(Ω)

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZK(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

RθJA(℃/W)

Tj（℃）

PD(W)

Condition：

Clear Condition

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4742A

Do-41

12.0

21.0

9.0

700

0.25

9.1

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4743A

Do-41

13.0

19.0

10.0

700

0.25

9.9

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4744A

Do-41

15.0

17.0

14.0

700

0.25

11.4

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4745A

Do-41

16.0

15.5

16.0

700

0.25

12.2

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4746A

Do-41

18.0

14.0

20.0

750

0.25

13.7

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4747A

Do-41

20.0

12.5

22.0

750

0.25

15.2

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4748A

Do-41

22.0

11.5

23.0

750

0.25

16.7

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4749A

Do-41

24.0

10.5

25.0

750

0.25

18.2

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4750A

Do-41

27.0

9.5

35.0

750

0.25

20.6

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4751A

Do-41

30.0

8.5

40.0

1000

0.25

22.8

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4752A

Do-41

33.0

7.5

45.0

1000

0.25

25.1

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4753A

Do-41

36.0

7.0

50.0

1000

0.25

27.4

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4754A

Do-41

39.0

6.5

60.0

1000

0.25

29.7

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4755A

Do-41

43.0

6.0

70.0

1500

0.25

32.7

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4756A

Do-41

47.0

5.5

80.0

1500

0.25

35.8

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4757A

Do-41

51.0

5.0

95.0

1500

0.25

38.8

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4758A

Do-41

56.0

4.5

110.0

2000

0.25

42.6

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4759A

Do-41

62.0

4.0

125.0

2000

0.25

47.1

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4760A

Do-41

68.0

3.7

150.0

2000

0.25

51.7

1.2

110

-65～ 175

Name

Package

VZ@IZT(V)

IZT(mA)

ZZT @ IZT(Ω)

ZZK @ IZT(Ω

IZK(mA)

IR@VR(μA)

IR@VR(V)

IZm(mA)

MaximumVF@ IF=200mA(V)

Rθja (℃/W)

Tj(℃)

PD(W)

1N4761A

Do-41

75.0

3.3

175.0

2000

0.25

1.2

110

-65～ 175

< 1...108 109 110...217 > proceed page

Friendship Link

Anhui Anxin Electronic Technology Co., Ltd.

http://www.anhuianxin.com/

Anhui ANMEI semiconductor

Telephone:+86-0566-2218818
Mobile:+8618905668938 Mr. Zhou
Website:http://www.amsemi.com.cn/
Mailbox:info@amsemi.com.cn
Address: Chizhou City economic and technological Development Zone Golden Avenue Fuan electronic information Industry Park

Shenzhen Anxinmei Semiconductor

Contact: Zhang Jing
Telephone:+86181 2405 5151
Shenzhen Address: Shenzhen Longgang District Pinghu Street Shanxia Community Huabao Road 100 Hongdian Building A 901

Shanghai Anxinmei Semiconductor Co,.Ltd.

Contact: Mr.Jin
Telephone:+8613701800287 Shanghai Pudong New Area 787 Kangqiao Road Zhongtian Science Park Building 7, 212-216

Instructions | Report | Certificate | Digital business card

Business License