Product screening:
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B3V9S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B43S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B47S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B4V3S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B4V7S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B51S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B56S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B5V1S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B5V6S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B62S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B68S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B6V2S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B6V8S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B75S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B7V5S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B8V2S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52B9V1S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52C10S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52C11S
Package
VZ@IZT(V)
IZT(mA)
ZZT @ IZT(Ω)
ZZK @ IZT(Ω
IZK(mA)
IR@VR(μA)
IR@VR(V)
IZm(mA)
MaximumVF@ IF=200mA(V)
Rθja (℃/W)
Tj(℃)
PD(W)
BZT52C12S
Anhui ANMEI semiconductor
Telephone:+86-0566-2218818
Mobile:+8618905668938 Mr. Zhou
Website:http://www.amsemi.com.cn/
Mailbox:info@amsemi.com.cn
Address: Chizhou City economic and technological Development Zone Golden Avenue Fuan electronic information Industry Park
Shenzhen Anxinmei Semiconductor
Contact: Zhang Jing
Telephone:+86181 2405 5151
Shenzhen Address: Shenzhen Longgang District Pinghu Street Shanxia Community Huabao Road 100 Hongdian Building A 901
Shanghai Anxinmei Semiconductor Co,.Ltd.
Contact: Mr.Jin
Telephone:+8613701800287 Shanghai Pudong New Area 787 Kangqiao Road Zhongtian Science Park Building 7, 212-216
Copyright© 2023 Anhui Anmei Semiconductor Co., Ltd